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AON7421
20V P-Channel MOSFET
General Description
Product Summary
The AON7421 combines advanced trench MOSFET
technology with a low resistance package to provide
extremely low R DS(ON) . This device is ideal for load switch
and battery protection applications.
V DS
I D (at V GS =-10V)
R DS(ON) (at V GS =-10V)
R DS(ON) (at V GS =-4.5V)
R DS(ON) (at V GS =-2.5V)
-20V
-50A
< 4.6m ?
< 5.8m ?
< 9.0m ?
100% UIS Tested
100% R g Tested
DFN 3.3x3.3 EP
Top View
Bottom View
1
2
3
Top View
8
7
6
D
Pin 1
Absolute Maximum Ratings T A =25°C unless otherwise noted
4
5
G
S
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Maximum
-20
±12
Units
V
V
Continuous Drain
Current G
Pulsed Drain Current C
Continuous Drain
Current
T C =25°C
T C =100°C
T A =25°C
T A =70°C
I D
I DM
I DSM
-50
-39
-200
-30
-24.5
A
A
Avalanche Current C
Avalanche energy L=0.1mH C
I AS
E AS
50
125
A
mJ
Power Dissipation
Power Dissipation
B
A
T C =25°C
T C =100°C
T A =25°C
T A =70°C
P D
P DSM
83
33
6.2
4
W
W
Junction and Storage Temperature Range
T J , T STG
-55 to 150
°C
Thermal Characteristics
Parameter
Symbol
Typ
Max
Units
Maximum Junction-to-Ambient
Maximum Junction-to-Ambient A
AD
Maximum Junction-to-Case
t ≤ 10s
Steady-State
Steady-State
R θ JA
R θ JC
16
45
1.1
20
55
1.5
°C/W
°C/W
°C/W
Rev.2.0: May 2013
www.aosmd.com
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